AMR传感器（磁性传感器）术语表4-韦克威-专注技术,专业服务

万彩网100线路AMR传感器（磁性传感器）术语表4

Magnetoresistance effect 磁电阻效应

在主要由镍、铁、铜和其他用于磁电阻元件的铁磁金属组成的合金薄膜中，当铁磁性金属受到外部磁场的作用时，在分子水平上，三维带电子轨道平面发生旋转，再加上电子固有自旋轨道的相互作用，导致三维能带电子分布发生畸变（d波段波函数发生畸变）。

结果，电子寻求能量稳定性，这激发了传导电子发生在4s波段的概率变化，这是一个不同的电子轨道，这种状态表现为电阻的变化。

mT 毫特斯拉

毫特斯拉。磁通量密度单位的名称。（国际单位制）

用高斯的CGS单位换算为1mT=10高斯。

Non-contact

非接触式

万彩网100线路非接触表示无需直接接触即可执行操作。

对于AMR传感器，安装了传感器的电路板包含在产品中，这样可以用于以下应用。

不直接可见的传感器。

万彩网100线路易于适应防水结构的开关

不想向用户显示的开关

它们的特性使其应用范围极为广泛，例如当外壳由磁力通过的材料制成时，可以从传感器外部进行操作。

使用簧片开关的位置有触点，但AMR传感器没有任何触点。在操作环境恶劣的地方，例如那些受到冲击或振动的地方，AMR传感器可以提供更高的可靠性。在某些情况下，可以使用与簧片开关相同的磁铁，而无需任何修改。

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